MRF8P20100HR3 MRF8P20100HSR3
15
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS ? GSM EDGE
-- 8 0
-- 4 5
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 5 0
-- 5 5
-- 6 0
-- 7 0
20
Figure 25. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz (dBc)
40 12060 80 100
-- 6 5
-- 7 5
VDD
=28Vdc
IDQA
=IDQB
= 330 mA
EDGE Modulation
1805 MHz
1880 MHz
1840 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
300
4
10
8
6
0
10
1
2
24
60
48
36
0
12
Figure 26. EVM and Drain Efficiency
versus Output Power
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
EVM
ηD
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
VDD
=28Vdc
IDQA
=IDQB
= 330 mA
EDGE Modulation
Figure 27. Broadband Frequency Response
0
18
1450
f, FREQUENCY (MHz)
3--30VDD
=28Vdc
Pin
=0dBm
IDQA
=IDQB
= 330 mA
12
9
6
1615
GAIN (dB)
15
Gain
1780 1945 2110 2275 2440 2605 2770
IRL
-- 3 6
0
-- 6
-- 1 2
-- 1 8
-- 2 4
IRL (dB)
100
1805 MHz
1880 MHz
1840 MHz
1880 MHz
1840 MHz
1805 MHz
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